通信基站

      华太在通信基站用RF LDMOS领域耕耘了十年时间,已成为多家国际一流电信设备公司的RF LDMOS器件供应商。
       华太通信基站产品线可以为客户提供各种输出功率等级,覆盖700~5000MHz频率范围的全系列产品,包括用于3G/4G基站的分立式驱动和末级产品,以及用于5G Massive MIMO宏站的产品。

LDMOS产品


产品型号 工作频率(MHz) 工作电压(V) 平均功率(dBm)    效率    增益(dB) ACPR(dBc) 测试频率(MHz) 封装 工艺    量产状态   
   HTN8G38S004P    700-3800 28 22    10.5%    19 -35 2595 DFN    LDMOS    MP
   HTN7G38S007P    700-3800 28 28.8    17.4%    14 -47 3400 PDFN 5*5    LDMOS    MP
HTN7G27S010P 700-2700 28 31 18.1% 19 -48 2140 PDFN 6*5 LDMOS MP
HTN7G27S020P 700-2700 28 34 19.7% 17.5 -42 2655 TO270 LDMOS MP
HTN7G21S040P 700-2100 28 36 16.5% 16 -47 1840 TO270 LDMOS MP
HTN7G09S060P 100-960 28 39 19.5% 22 -46 940 TO270 LDMOS MP
HTN7G09S120P 100-960 28 40.5 19.4% 22 -45 881 TO270 LDMOS MP
HTN7G21S160H 1805-2170 28 42 21.9% 17.5 -45 1840    H2110S-2L2L    LDMOS MP
HTN7G21P160H 1805-2170 28 44.8 40% 16.5 -35 1960 H2110S-4L2L LDMOS MP
HTN8G18S230H 1805-1880 28 47.5 31% 18 -29 1840 H2110S-2L2L LDMOS MP
H8G2527D40P 2500-2700 28 37.5 43% 35 -30 2595 DFN LDMOS MP



GaAs产品


产品型号 工作频率(MHz) 工作电压(V) P-1dB功率(dBm) OIP3(dBm) 增益(dB)    封装    工艺 量产状态
   HTA50P3    1800-5000 5 25 36 29 QFN    GaAs pHEMT    MP
HTA50P5 2100-5000 5 27 39 29 QFN GaAs HBT    Q3/2020